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MERLIN掃描電子顯微鏡
    發(fā)布時間: 2010-03-05 11:12    
Merlin具有全方位的靈活性，滿足您的各種應用需求，Merlin借助模塊化的樣品室設計、可變壓力選件，15個端口及一系列特定應用模塊，如原子力顯微鏡（AFM）、原位超薄切片機、大面積成像以及能夠輕松應對非導電樣品的局部電荷中和模塊，它能夠升級成為一個綜合的納米分析平臺。
MERLIN掃描電子顯微鏡

從成像到全套實驗室應用：卓越的亞納米級分析能力

配備 GEMINI II 鏡筒的 MERLIN 可以借助先進的探測模式和‘future assured’技術在單一系統(tǒng)平臺上實現(xiàn)超快速分析與高分辨成像。

經過預校準的 GEMINI II 光學成像設置，如電壓或探針電流，能夠根據(jù)您的需求進行調整以滿足應用和樣品要求，且無需再重新校準。即便無經驗的用戶也能獲得最佳成像結果。經系統(tǒng)優(yōu)化后的高束流密度、300 nA 探針電流及高束流下的超高分辨率，確保了在納米級分析應用中的快速成像。

利用 正光軸 in-lens 二次電子（SE）探測與能量選擇背散射（EsB）探測獲取最豐富的樣品信息，用以檢測材料組份中最細微的差異。

Merlin具有全方位的靈活性，滿足您的各種應用需求，Merlin借助模塊化的樣品室設計、可變壓力選件，15個端口及一系列特定應用模塊，如原子力顯微鏡（AFM）、原位超薄切片機、大面積成像以及能夠輕松應對非導電樣品的局部電荷中和模塊，它能夠升級成為一個綜合的納米分析平臺。

參數(shù)
分辨率
 高達 0.6nm（STEM 模式）
探針電流
 高達 300nA
加速電壓
 20V 至 30 kV
   
探測模式（可選）
  
In-lens（SE）
 正光軸 in-lens 二次電子探測
In-lens（EsB）
 用于材料襯度成像的正光軸in-lens 能量選擇背散射探測；in-lens SE 和 EsB 并行成像
角度選擇背散射探測器（AsB）
 用于晶體表面的結構分析。
3DSM 用于實時三維表面形貌成像。
STEM 低電壓優(yōu)化明場、4 象限暗場和大角度暗場透射成像。
   
選件（可選）  
ATLAS 大面積成像 用于大尺寸樣品區(qū)域拼接。
原子力顯微鏡（AFM）技術 擴展掃描電鏡性能，使其具有解析單原子層和檢測表面磁性或局部導電率的能力。
局部電荷中和 可以實現(xiàn)非導電樣品成像。
3View 原位超薄切片機可實現(xiàn)大體積軟組織三維重構。

應用無極限

只需使用一系列特定應用選件，便能獲取納米材料、半導體樣品、礦物、鋼鐵或合金的更豐富信息：

  • 與 SEM/AFM（原子力顯微鏡）結合，可獲取半導體和納米材料的原子級信息
  • 使用 ATLAS 大面積成像模塊拼接大尺寸樣品區(qū)域，用于半導體結構的設計驗證
  • 觀測諸如礦物、陶瓷、玻璃和聚合物等非導電樣品，利用局部可變壓力帶來的電荷中和作用進行探測分析
  • 借助實時 3DSM 成像模塊輕松掌握 MEMS 器件的形貌和表面粗糙度、納米結構、硬度測量產生的壓痕或法醫(yī)調查中的劃痕
  • GEMINI 鏡筒可用于磁性樣品檢測，圖像絕不失真。
  • 通過增加 3View 超薄切片機實現(xiàn)大體積軟組織三維重構。

新型材料、納米復合材料、聚合物、高強度鋼和半導體結構的性能關鍵取決于最小的組份結構。配置有正光軸能量選擇背散射電子（EsB）探測功能的 MERLIN 全套探測系統(tǒng)是探究這些組份結構的最佳儀器。低能損背散射電子的能量過濾變化對材料組份、衍生物和相非常敏感，因此能夠被區(qū)分開。獨一無二的對稱式正光軸設計可確保拍攝參數(shù)改變時無需重新校準。

此外，Merlin還配置有能夠探測其他綜合樣品信息的信號，如 in-lens 二次電子探測器。

MERLIN 與原子力顯微鏡（AFM）相結合

只需簡單更換載物臺，便能在一個簡單的工作流程中分別體驗兩者的優(yōu)勢：

  • 首先使用掃描電鏡獲取樣品概覽
  • 快速標識和放大感興趣區(qū)域（ROI）
  • 同時在掃描電鏡下可以進行安全控制，快速地將懸臂系統(tǒng)直接移至感興趣區(qū)域
  • 使用 AFM 模塊解析單個原子層
  • 并可使用懸臂系統(tǒng)獲取更多的樣品信息，如表面磁性或局部導電性

MERLIN 系統(tǒng)可升級具備三維成像能力：3DSM 解決方案可以像傳統(tǒng)二維成像一樣輕松完成樣品表面的實時三維成像。獲取的三維圖像可以通過諸如立體視圖、網絡視圖、紋理視圖或輪廓重疊的方式顯示。該模塊還能夠獲得定量三維模型，用以測量表面粗糙度及表面形貌。

集成的計量 軟件可以進行三維表面可視化及生成完整的計量報告。



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